Pr :プリシュート Os :オーバーシュート Us :アンダーシュート
Ear :立上がり部振幅電圧 D :ドループ(サグ) T :パルス繰り返し周期
tw :パルス幅 tr :立上がり時間 tf :立下がり時間 Rt:リカバリー時間
(1)式を基本として計算する。
ET=ΔB・N・Ae×106[uS]・・・(1)
ここで、
ET :ET積(ET Product)[V・uS]、立上がり部振幅電圧Ear×パルス幅tw
ΔB :磁束密度変化(最大磁束密度Bm-残留磁束密度Br)[Tesla]
N :トランスの一次巻数
Ae :コア断面積[m2]
トランスの巻数比は1:1とし、2次側-1次側間ではインピーダンス変換は無いものとする。(従ってEarは1次側でも2次側でも同じと捉える)。巻数比が1:1と異なる場合は最初に巻数比を決め、2次側インピーダンスを1次側に換算した上で入力すること。
インダクタンスLpは(2)式を根拠としている。
Lp=( Ear×tw )/im・・・(2)
ここで、
Ear:立上がり部振幅電圧[V]
tw:パルス幅[S]
im:励磁電流[A](設計画面中では実効電流×励磁電流比率で算出)